杭州汉安半导体有限公司

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特点	典型应用	说明
1、非绝缘，底板为公共电极 2、国际标准封装 3、全压接结构、优良的温度特性和功率循环能力 4、高浪涌电流 5、低正向压降	1、逆变器 2、感应加热 3、斩波器

MKC MHC

型号	I_T（Av）@T_C		V_DRM/V_RR_M	V_TM@I_TM		I_DRM / I_RRM	I_GT	V_GT	I_H	dv/dt	di/dt	T_q	I_TSM	I²_t	V_TO	R_T	R_jc	T_JM	V_ISO	外形
型号	A	℃	V	V	A	mA	mA	V	mA	V/μS	A/μS	μS	A×10³	A²S×10⁴	v	mΩ	℃/w	℃	V(A.C)
MXC75	75	85	600-1600	2.20	225	30	150	2.5	150	800	200	15-35	2.00	2.04	0.85	4.88	0.200	115	2500	图03/04
MXC150	150	85	600-1600	1.78	450	40	180	2.5	200	800	200	15-35	4.00	8.16	0.85	1.66	0.140	115	2500	图05
MXC200	200	85	600-1600	1.77	600	50	180	2.5	200	800	200	15-35	5.60	16.00	0.90	1.15	0.100	115	2500	图05
MXC300	300	85	600-1600	1.75	900	80	200	3.0	200	800	200	15-35	7.80	31.00	0.90	0.74	0.070	115	2500	图30
MXC300	300	85	600-1600	2.20	900	50	200	3.0	200	800	200	15-35	5.60	16.00	0.90	1.17	0.110	115	2500	图06
MXC400	400	85	600-1600	2.10	1200	80	200	3.0	200	800	200	15-35	7.80	31.00	0.90	0.80	0.087	115	2500	图07

MZC

型号	I_F_（Av）@T_C		V_DRM/V_RRM	V_TM@I_TM		I_RRM	T_RR	I_F(RMS)	I_TSM	I²_t	V_FO	R_F	R_jc	T_JM	V_ISO	外形
型号	A	℃	V	V	A	mA	μS	A	A×10³	A²S×10⁴	v	mΩ	℃/w	℃	V(A.C)
MZC75	75	100	600-1600	2.00	225	20	1.5	118	2.20	2.46	0.80	4.25	0.310	140	2500	图03/04
MZC150	150	100	600-1600	1.60	450	30	2.0	236	4.30	9.42	0.80	1.38	0.210	140	2500	图05
MZC200	200	100	600-1600	1.58	600	40	3.0	314	6.00	18.40	0.85	0.92	0.150	140	2500	图05
MZC300	300	100	600-1600	1.55	900	70	4.0	471	8.30	35.10	0.85	0.58	0.100	140	2500	图30
MZC300	300	100	600-1600	2.05	900	40	3.0	471	6.00	18.40	0.85	1.06	0.160	140	2500	图06
MZC400	400	100	600-1600	1.90	1200	70	4.0	628	8.30	35.10	0.85	0.68	0.130	140	2500	图07

注：
电路图：