杭州汉安半导体有限公司

产品展示>> 功率半导体模块 >> 单相/三相整流桥模块

特点	典型应用	说明
1、非绝缘，底板为公共电极 2、国际标准封装 3、全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 4、最高工作结温达140℃ 5、高浪涌电流 6、低正向压降	1、仪器设备的直流电源 2、PWM变频器的输入 3、电池充电直流电源 4、直流电机励磁电源 5、开关电源的输入整流 6、软起动电容充电 7、电气拖动和辅助电流 8、逆变焊机	I_O为模块的直流输出电流 V_RSM=V_RRM+100V

MDQ

型号	Io@Tc		V_RRM	V_FM_@I_FM		I_RRM	I_F_(RNS)	I_TSM	I²_t	V_TO	R_T	R_jc	T_JM	V_ISO	外形
型号	A	℃	V	V	A	mA	mA	A×10³	A²S×10⁴	v	Ω	℃/w	℃	V(A.C)
MDQ50	50	100	600-1600	1.25	75	4	25	1.0	0.50	0.80	9.0	0.24	150	2500	图18/20/22
MDQ75	75	100	600-1600	1.38	110	8	38	1.2	0.72	0.80	7.0	0.20	150	2500	图18/20/22
MDQ100	100	100	600-1600	1.20	150	10	50	1.5	1.14	0.80	4.5	0.14	150	2500	图24/26/28
MDQ150	150	100	600-1600	1.38	230	15	75	2.1	2.21	0.80	3.8	0.10	150	2500	图24/26/28

MDS

型号	Io@Tc		V_RRM	V_FM@I_FM		I_RRM	I_F_(RNS)	I_TSM	I²_t	V_TO	R_T	R_jc	T_JM	V_ISO	外形
型号	A	℃	V	V	A	mA	mA	A×10³	A²S×10⁴	v	mΩ	℃/w	℃	V(A.C)
MDS30	30	100	600-1600	1.10	30	2	25	0.50	0.12	0.80	9.0	0.44	150	2500	图19/21/23
MDS50	50	100	600-1600	1.20	50	4	39	0.75	0.28	0.80	9.0	0.30	150	2500	图19/21/23
MDS75	75	100	600-1600	1.25	75	4	47	1.00	0.51	0.80	7.0	0.24	150	2500	图19/21/23
MDS100	100	100	600-1600	1.30	100	8	51	1.20	0.72	0.80	4.5	0.20	150	2500	图19/21/23
MDS150	150	100	600-1600	1.20	150	10	71	1.50	1.14	0.80	3.8	0.14	150	2500	图25/27/29
MDS175	175	100	600-1600	1.51	175	12	83	2.70	3.88	0.80	3.1	0.14	150	2500	图25/27/29
MDS200	200	100	600-1600	1.35	200	15	95	2.10	2.21	0.80	2.8	0.10	150	2500	图25/27/29

注：
电路图：